Discos SSD de hasta 10TB con la nueva memoria Flash 3D NAND de Intel

Flash 3D NAND Intel

Intel y Micron anunciaron el lanzamiento de la nueva tecnología 3D NAND, la memoria flash de mayor densidad del mundo. Con esta nueva memoria, podremos tener una mayor capacidad de almacenamiento en nuestros dispositivos de uso personal como laptops, tablets, smartphones y también en el centro de datos. Esta tecnología ya la utilizan otros fabricantes como Toshiba, Samsung y SanDisk pero Intel asegura tener mejores resultados.

Esta nueva tecnología 3D NAND, que fue desarrollada en conjunto por Intel y Micron, apila capas de celdas de almacenamiento de datos de forma vertical con una precisión extraordinaria para crear dispositivos de almacenamiento con una capacidad tres veces mayor que la de las tecnologías NAND de la competencia. Esto proporciona mayor almacenamiento en un espacio más reducido, lo que genera una significativa disminución de costos, bajo uso energético y alto desempeño para una amplia gama de dispositivos móviles de consumo, así como para las más exigentes herramientas empresariales.

“La colaboración de Intel y Micron ha creado una tecnología de almacenamiento en estado sólido líder en sector, que ofrece densidad, rendimiento y eficiencia de altísimo nivel que ninguna otra memoria flash proporciona hoy en día”, declaró Brian Shirley, vicepresidente del área de tecnología y soluciones de memoria de Micron Technology. “Esta tecnología 3D NAND tiene el potencial de generar cambios sustanciales en el mercado. La profundidad del impacto que la memoria flash ha tenido hasta ahora – desde los smartphones hasta los supercomputadores optimizados por flash – es tan solo una muestra de nuestras posibilidades reales”.

Uno de los aspectos más relevantes de esta tecnología es la propia celda fundamental de memoria. Intel y Micron decidieron utilizar una celda floating gate, un diseño usado de forma generalizada que ha sido perfeccionado a lo largo de años de fabricación en masa de dispositivos flash planares. Esta es la primera vez que se utiliza una celda floating gate en la tecnología 3D NAND, que era una opción esencial de diseño para obtener mejor desempeño y aumentar la calidad y la confiabilidad.

La nueva tecnología 3D NAND apila celdas flash de forma vertical en 32 capas para obtener una celda multinivel (MLC, por sus siglas en inglés) de 256 Gb y un chip de celda de nivel triple (TLC, por sus siglas en inglés) de 384 Gb que cabe en un formato estándar. Estas propiedades producen SSDs de formato gumstick con más de 3,5 TB de almacenamiento y SSDs de tamaño estándar de 2,5 pulgadas con más de 10 TB. Como la capacidad se obtiene mediante la superposición de las celdas de forma vertical, las dimensiones de cada celda pueden ser considerablemente más grandes. Con esto se espera que aumente tanto el rendimiento como la resistencia, y que incluso los diseños TLC sean apropiados para el almacenamiento de centro de datos.

“Las iniciativas de desarrollo de Intel junto a Micron reflejan nuestra compromiso continuo para ofrecer tecnologías de memoria no volátil innovadoras para el mercado”, afirmó Rob Crooke, vicepresidente senior y gerente general del grupo de soluciones de memoria no volátil de Intel Corporation. “Los enormes avances en materia de densidad y costos generados por la nueva innovación tecnológica 3D NAND van a acelerar el almacenamiento de estado sólido en plataformas computacionales”.