Nueva memoria de IBM es 50 veces más rápida que los SSD

IBM anunció un nuevo tipo de memorias de cambio de fase (también conocida como PRAM o memoria PCM, de Phase-Change Memory), con una mayor velocidad de lectura/escritura, más resistente, no volátil y con mayor densidad que podrían alcanzar hasta 10 millones de ciclos de escritura, una cifra muy superior en comparación con la media de 3,000 ciclos que tienen las memorias flash y puede ser hasta 50 veces más rápida que los actuales discos SSD.

La memoria de cambio de fase (PCM por sus siglas en inglés) promete ser toda una revolución. Se trata de una tecnología que almacena datos de forma no volátil (no desaparecen al apagar el dispositivo) mediante cristales que alteran su estructura molecular al recibir corriente eléctrica de diferente intensidad.

Este nuevo tipo de memoria, podría aplicarse para acelerar el Machine Learning, el Internet de las Cosas, y hasta la industria de los dispositivos móviles, permitiendo que los smartphones y otros gadgets se activen desde apagados en segundos, con una memoria caché extremadamente rápida.

Hasta ahora, los investigadores habían logrado almacenar un bit de información por celda mediante este tipo de cristales, pero IBM acaba de romper esa marca. Ingenieros de la compañía han anunciado en el IEEE International Memory Workshop de París que han alcanzado una densidad récord de tres bits por celda, esto reduce considerablemente su costo y la pone debajo de la DRAM y similar a la memoria flash.