Samsung fabrica memorias DDR3 de 2-gigabit con tecnologia 40nm

Samsung fabrica memorias DDR3 de 2-gigabit con tecnologia 40nm  noticias, actualidad

Samsung anuncio este mates que se ha convertido en la primera compañia fabricante de semiconductores en producir de manera masiva chips de memoria RAM DDR3 de 2-gigabit utilizando tecnologia de fabricacion de 40 nanometros.

El nuevo chip de memoria elaborado con la tecnologia de 40 nanometros, mas pequeña y de mayor densidad, le permite a Samsung producir memorias significativamente mas densas que las actuales sin incrementar el consumo de energia o el costo.

Cada memoria RAM producida con tecnologia 40nm sera mas eficiente, con mayor densidad y de mayor rendimiento soportando transferencia de datos de hasta 1.6 gigabits por segundo a 1.35 voltios, hasta dos veces mas veloz que un chip tipico de 1 gigabit a 800Mbps.

De acuerdo a la firma de investigacion iSuppli, las memorias DDR3 de 2 Gbit acapararan el 82 por ciento del total del mercado DDR3 DRAM en cantidad de unidades vendidas en 2012, y se convertiran en las memorias DDR3 DRAM principales para el 2010.