Samsung fabrica memorias DDR3 de 2-gigabit con tecnologia 40nm

samsung-logo

Samsung anuncio este mates que se ha convertido en la primera compañia fabricante de semiconductores en producir de manera masiva chips de memoria RAM DDR3 de 2-gigabit utilizando tecnologia de fabricacion de 40 nanometros.

El nuevo chip de memoria elaborado con la tecnologia de 40 nanometros, mas pequeña y de mayor densidad, le permite a Samsung producir memorias significativamente mas densas que las actuales sin incrementar el consumo de energia o el costo.

Cada memoria RAM producida con tecnologia 40nm sera mas eficiente, con mayor densidad y de mayor rendimiento soportando transferencia de datos de hasta 1.6 gigabits por segundo a 1.35 voltios, hasta dos veces mas veloz que un chip tipico de 1 gigabit a 800Mbps.

De acuerdo a la firma de investigacion iSuppli, las memorias DDR3 de 2 Gbit acapararan el 82 por ciento del total del mercado DDR3 DRAM en cantidad de unidades vendidas en 2012, y se convertiran en las memorias DDR3 DRAM principales para el 2010.