Samsung produce primeros chips con 512GB de almacenamiento Flash

Samsung produce primeros chips con 512GB de almacenamiento Flash Samsung noticias

Samsung ha iniciado su producción de los primeros chips de 512GB de memoria flash (eUFS).  Esto significaría que los teléfonos de gama alta de la marca podrían aumentar su capacidad.

Samsung utiliza para la producción chips de 64 capas 512-gigabit(Gb) V-NAND, lo que permite proveer capacidades altas de almacenamiento y un excelente desempeño. La tarjeta incluye 8 de estos chips y un chip controlador, todo en el mismo espacio de las memorias de 256GB.

Con esta capacidad, un teléfono podría almacenar 130 videos en 4K UltraHD de 10 minutos de duración.

La lectura y escritura secuencial alcanzan los 860MB por segundo y 255MB por segundo respectivamente, 8 veces más rápido que una tarjeta estándar microSD.  También tiene una capacidad de lectura aleatoria de 42,000 operaciones por segundo (IOPS) y una velocidad de escritura de 40,000 IOPS.  Por último se incluye en el chip, tecnología para la administración del consumo eléctrico, para reducir el mismo.

Samsung afirma que la siguiente generación de teléfonos y tabletas son los mejores candidatos para incluir el chip y planea incrementar agresivamente la producción en volúmenes altos.